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PECVD100等离子增强化学气相淀积系统  (收藏)

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记录

设备分类编码: 120401

仪器设备分类: 专用

主要学科领域: [动力与电气工程]

仪器设备来源: 购置

联系电话: 023-65102519

电子邮箱: zhengry@cqu.edu.cn

通讯地址: 重庆市沙坪坝区沙正街174号

邮政编码: 400044

联系人: 王胜强

仪器所属类别: 工艺试验仪器>>加工工艺实验设备>>机加工工艺实验设备

规格型号: PECVD100PECVD100

所属科研设施:

主要功能: 生长低应力薄膜SiO2、Si3N3及a-Si膜层

主要技术指标: loadlock:极限真空< 1x10-3 mbar;抽真空两小时后测得的漏率为3x10-6 mbar/s; 工艺腔室:抽真空两小时极限真空<6x10-6 mbar ;抽真空两小时后测得的漏率为1x10-5 mbar/s; 温控范围80°C - 500 °C,温控精度: +/- 0,5 °C;

安放地址: 微系统研究中心101室

服务内容: 提供4英寸圆片薄膜淀积:SiO2、Si3N3及a-Si

服务的典型成果: 中国核物理研究院开关掩膜层制备、ICT线模卡掩膜层制备、清华大学介质薄膜材料制备等

对外开放共享规定: 4英寸基片,可生长SiO2、Si3N4及多晶硅等薄膜。

参考收费标准: 1000元/片(<300nm)



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