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电感耦合等离子刻蚀机  (收藏)

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设备分类编码: 120302

仪器设备分类: 专用

主要学科领域: [机械工程, 航空、航天科学技术]

仪器设备来源: 购置

联系电话: 029-88495102-8051

电子邮箱: zbma@nwpu.edu.cn

通讯地址: 西安市碑林区友谊西路127号

邮政编码: 710072

联系人: 马志波

仪器所属类别: 工艺试验仪器>>电子工艺实验设备>>半导体集成电路工艺实验设备

规格型号: ICP ASE

所属科研设施:

主要功能: 主要用于硅材料的深槽刻蚀,同时又兼顾MEMS表面工艺中的浅硅刻蚀。

主要技术指标: 100微米深硅刻蚀 约 2.5 微米独立汽坑宽 大于 1 微米光刻胶掩膜厚度或大约 0.5 微米 SiO2 掩膜掩膜圆形的硅暴露面积小于 10% 刻蚀速度: >2 微米/分钟 光刻胶的选择比 : >50 : 1 SiO2 的选择比 : >100 : 1 边壁角度: 90 1 度 边壁粗糙度 (scallops): <200 纳米 (峰与峰之间) 掩膜开始底部切口: 每边小于 0.4 微米 均匀性 (芯片上) : <5% 均匀性 (芯片与芯片之间) : <5% 气体SF6 ,C4F8 ,Ar ,O2。

安放地址: 友谊西路127号

服务内容:

服务的典型成果:

对外开放共享规定: 共享

参考收费标准:



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