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光学浮区法晶体生长试验系统  (收藏)

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设备分类编码: 120302

仪器设备分类: 专用

主要学科领域: [材料科学]

仪器设备来源: 购置

联系电话: 025-84303983

电子邮箱: gchen@njust.edu.cn

通讯地址: 南京理工大学

邮政编码: 210094

联系人: 陈光

仪器所属类别: 工艺试验仪器>>电子工艺实验设备>>半导体集成电路工艺实验设备

规格型号: FZ-T-400-H-S-PC

所属科研设施:

主要功能: 金属提纯,单晶生长。

主要技术指标: 加热功率 400w,抽拉速率 0.01mm/min--100mm/min

安放地址: 孝陵卫200号

服务内容: 光学浮区法晶体生长实验系统具有能量密度高、无坩埚污染、电热转换效率高、控制简单且精度高等优点,它既能去除气体和夹杂以提纯难熔金属,又能生长出具有理想组织结构的单晶体,成为制备高纯难熔金属的重要方法。可用于金属及金属间化合物单晶体、各种氧化物及陶瓷单晶体及半导体单晶的生长

服务的典型成果: 采用该设备制备的轻质耐热高性能PST TiAl单晶。在材料性能上,实现了跨越。与国际已有最高水平相比,承温能力提高200-300℃,900℃蠕变性能和持久寿命提高1~2个数量级,该成果发表于国际顶级期刊Nature Materials。获批国家973项目1项,国防973项目1项,培养博士研究生4人,硕士研究生10余人。

对外开放共享规定: 采取网上预约或电话预约

参考收费标准: 视具体情况而定



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