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等离子化学气相淀积设备  (收藏)

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设备分类编码: 120302

仪器设备分类: 通用

主要学科领域: [物理学, 材料科学]

仪器设备来源: 购置

联系电话: 021-65648597

电子邮箱: zhanglijian@fudan.edu.cn

通讯地址: 上海市杨浦区邯郸路220号

邮政编码: 200433

联系人: 张立建

仪器所属类别: 工艺试验仪器>>电子工艺实验设备>>半导体集成电路工艺实验设备

规格型号: PlasmaPro System 100

所属科研设施:

主要功能: 在保持一定压力的原料气体中,借助射频功率产生气体放电,使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体。在气体放电等离子体中,由于低速电子与气体原子碰撞,产生正、负离子之外,还会产生大量的活性基,从而大大增强反应气体的化学活性。这样,在相对较低的温度下,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。由于 PECVD 技术是通过反应气体放电来制备薄膜的,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式。 PECVD的优点是:基本温度低,沉速率快,成膜质量好,针孔较少,不易龟裂。

主要技术指标: 可蒸发不同厚度的SiO2和SiNx薄膜,广泛应用于物理,生物,化学,材料,电子等领域。 沉积薄膜种类:SiO2,SiNx,SiONx 基底温度:小于400oC 薄膜均匀性:±3% ( 4英寸 ) 装片:小于6英寸的任意规格的样品若干

安放地址: 邯郸路220号

服务内容: 生长SiO2和SiNx薄膜

服务的典型成果: 在Nature及其子刊、PRL等杂志上发表文章

对外开放共享规定: 遵守微纳加工实验室规章制度

参考收费标准: 700元/小时



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