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感应耦合等离子刻蚀系统  (收藏)

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设备分类编码: 120301

仪器设备分类: 通用

主要学科领域: [信息科学与系统科学, 物理学, 材料科学]

仪器设备来源: 购置

联系电话: 021-55664623

电子邮箱: nanolab@fudan.edu.cn

通讯地址: 上海市邯郸路220号复旦大学微电子学楼

邮政编码: 200433

联系人: 王老师

仪器所属类别: 工艺试验仪器>>电子工艺实验设备>>电路板制造工艺实验设备

规格型号: ICP 180

所属科研设施:

主要功能: 通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解,产生的具有强化学活性的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面,对样品表面既进行化学反应生成挥发性气体,又有一定的物理刻蚀作用。因为等离子体源与射频加速源分离,所以等离子体密度可以更高,加速能力也可以加强,以获得更高的刻蚀速率,以及更好的各向异性刻蚀。

主要技术指标: 主要用于刻蚀Si基材料,Si,SiO2,SiNx,低温深Si刻蚀等,广泛应用于物理,生物,化学,材料,电子等领域。 ICP源功率:0 - 3000 W RIE源功率:0 - 600 W 基底温度:-120oC - 80oC 可调 刻蚀均匀性:±5% ( 4英寸 ) 装片:一片4英寸,向下兼容任意规格样品 刻蚀气体:BCl3,HBr,SF6,CF4,C4F8,CHF3,Ar,O2

安放地址: 邯郸路220号微电子学楼

服务内容: 硅深槽刻蚀

服务的典型成果: 1.上海东微半导体技术有限公司 2.上海鸿辉光通科技股份有限公司 3.复旦大学物理系

对外开放共享规定: 用户申请获批后经培训使用

参考收费标准: 1000元/时



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