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原子气相沉积系统  (收藏)

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设备分类编码: 120204

仪器设备分类: 专用

主要学科领域: [信息科学与系统科学, 电子与通信技术]

仪器设备来源: 购置

联系电话: 021-62511070-8402

电子邮箱: xyh8223@mail.sim.ac.cn

通讯地址:

邮政编码:

联系人: 刘波

仪器所属类别: 工艺试验仪器>>化工、制药工艺实验设备>>化学反应工艺实验设备

规格型号: 研制

所属科研设施:

主要功能: 设计用于半导体原子层等级的薄膜沉积,特殊的藉由精确至精确至微秒等级的micro injection裝置,可将每一次pulse精确控制其沉积厚度以达成优越的线性关系及超高速的产出。针对多重组成的薄膜需求,AVD可藉由多组独立控制的micro injection,对于原子等级的薄膜组成及模厚控制加以弹性操控,无论是单一组成(HfO2、ZrO2、TaN、Ru、Ir、TaCN)双重组成(HfSiOx、HfZrOx、RuSiOx…),三重组成(PZT、SBT),甚至四重组成的薄膜需求,AVD皆具备优越的制造功能。

主要技术指标: 样品尺寸:200 mm 系统基础压力:<0.02mbar 转速:N/A 氦气泄漏率:1×10(-8)mbarls(-1) 压力调节:<10 s stabilization time (main chamber) ;<+/- 2% of programmed value 基板温度范围:300摄氏度-700摄氏度(误差2摄氏度) 极限温度:700摄氏度 温度控制:<+/- 2摄氏度 difference with programmed value 关闭安全测试:No

安放地址:

服务内容:

服务的典型成果:

对外开放共享规定:

参考收费标准:



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