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高真空磁控溅射仪  (收藏)

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设备分类编码: 120302

仪器设备分类: 专用

主要学科领域: [信息科学与系统科学, 物理学, 工程与技术科学基础学科, 材料科学]

仪器设备来源: 购置

联系电话: 021-62511070-3305

电子邮箱:

通讯地址:

邮政编码:

联系人: 彭炜

仪器所属类别: 工艺试验仪器>>电子工艺实验设备>>半导体集成电路工艺实验设备

规格型号: EB1100

所属科研设施:

主要功能: 用于Ti、Pd、Mo、Nb金属薄膜的溅射或共溅射沉积。

主要技术指标: 双腔室结构(进样室+溅射室),进样室极限真空度≦5E-4 Pa,溅射室极限真空度≦9.9E-6 Pa;4个4英寸溅射靶枪(平行板构型,向上溅射),2套2kW直流电源,1套900W射频电源,可在任意靶枪切换;样品台具备加热(最高300度),水冷和氩气背冷及旋转(最高转速60rpm)功能,可放置2-6英寸晶圆和10-50mm方片,进行射频反溅射基片清洗,靶基距离可原位调节(50-150mm);4路工艺气路;放电气压0.2 - 3Pa;6英寸范围膜厚均匀性≦3%。

安放地址:

服务内容:

服务的典型成果:

对外开放共享规定:

参考收费标准:



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