设备分类编码: 120302

仪器设备分类: 专用

主要学科领域: [物理学, 材料科学]

仪器设备来源: 购置

联系电话: 010-82649098

电子邮箱: xiaong@aphy.iphy.ac.cn

通讯地址:

邮政编码:

联系人: 夏晓翔

仪器所属类别: 工艺试验仪器>>电子工艺实验设备>>半导体集成电路工艺实验设备

规格型号: PlasmaLabSystem100 ICP180

所属科研设施:

主要功能: 感应耦合等离子体刻蚀系统（ICP）是制作微电子、光电子、MEMS等器件的关键技术，它可以在低压下以低功率获得高密度的等离子体，能够独立地调节等离子体的密度和能量，从而满足硅及Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的微纳加工要求，同时可避免传统的反应离子刻蚀技术（RIE）存在刻蚀速率与刻蚀损伤这一矛盾，能满足半导体GaAs等材料干法刻蚀的高等离子体密度、低刻蚀能量、高均匀性和低工作压力等特殊要求。

主要技术指标: 主要特点： 包含多路（超过12路）反应气体，能进行深硅、纳米结构和Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的微纳刻蚀加工，典型工艺包括深硅刻蚀工艺（Bosch process）、低温刻蚀工艺（－150oC）、纳米结构刻蚀工艺（～30nm）及各种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料高速刻蚀工艺等（InPGaAs等）。 主要技术指标： ICP刻蚀系统的基本技术参数如下： 1． 真空系统： 腔体真空1小时低于1×10－5 Torr 10小时 低于3×10－6 Torr 腔体漏率：低

安放地址:

服务内容:

服务的典型成果:

对外开放共享规定:

参考收费标准: