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ICP设备(刻蚀机)  (收藏)

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设备分类编码: 010199

仪器设备分类: 专用

主要学科领域: [其他]

仪器设备来源: 购置

联系电话: 010-62788736

电子邮箱: yqgx@mail.tsinghua.edu.cn

通讯地址: 北京市海淀区中关村北大街

邮政编码: 100084

联系人: 海燕

仪器所属类别: 分析仪器>>电子光学仪器>>其他

规格型号: MESC Multiplex

所属科研设施:

主要功能: 本设备可进行硅片深刻蚀,加工尺寸为4英寸及以下硅片。Si刻蚀速率为3um/min,光刻胶硅刻蚀选择比为1:20,均匀性小于5%。

主要技术指标: 硅深槽刻蚀,刻蚀速率3um/min

安放地址: 北京市北京市海淀区中关村北大街

服务内容: 教授1人、副教授1人、工程师2人

服务的典型成果: 清华大学、北京大学、中科院微电子所

对外开放共享规定: 正在完善中...

参考收费标准: 深硅刻蚀(元/片)——校内(院内):0.0、校内(院外):560.0、校外:800.0;



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