设备分类编码: 019900

仪器设备分类: 专用

主要学科领域: [其他]

仪器设备来源: 赠送

联系电话: 010-62788736

电子邮箱: yqgx@mail.tsinghua.edu.cn

通讯地址: 北京市海淀区中关村北大街

邮政编码: 100084

联系人: 张晓丽

仪器所属类别: 分析仪器>>其他>>其他

规格型号: L-451D-L

所属科研设施:

主要功能: 刻蚀硅、二氧化硅、氮化硅、多晶硅、氮化镓、砷化镓，去胶、还可以刻蚀金属薄膜、比如：铝、铬、石墨烯、烧碳管、清洗硅片等等、刻蚀的各向异性好、使用便利、价格低

主要技术指标: 技术指标：基片的尺寸小于等于4英寸、 刻蚀气体有：CF4,SF6. CHF3,  H2,  Ar2,  O2,  N2   刻蚀功率;10W----150W 刻蚀压力;大于1Pa 刻蚀的均匀性小于5%、刻蚀深度在nm-um.

安放地址: 北京市北京市海淀区中关村北大街

服务内容: 此机器由李群庆教授带领的具有一流的半导体工艺技术的团队、其中有刻蚀工艺二十多年的工艺工程师、对刻蚀工艺有丰富的经验、此团队工作上认真负责、精益求精。

服务的典型成果: 清华大学微电子所、电子系、航院、北京大学物理学院、化学学院、中科院微电子中心、中科院半导体所、国家纳米中心、中国电子科技集团第38研究所等

对外开放共享规定: 正在完善中...

参考收费标准: 反应离子刻蚀(元/小时)——校内(院内):200.0、校内(院外):200.0、校外:300.0;