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原子层沉积系统  (收藏)

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设备分类编码: 019900

仪器设备分类: 专用

主要学科领域: [其他]

仪器设备来源: 购置

联系电话: 010-62788736

电子邮箱: yqgx@mail.tsinghua.edu.cn

通讯地址: 北京市海淀区中关村北大街

邮政编码: 100084

联系人: 张晓丽

仪器所属类别: 分析仪器>>其他>>其他

规格型号: ALD-P-100B

所属科研设施:

主要功能: 前驱体三甲基铝和去离子水,衬底采用红外加热温控精确,高灵敏度ALD阀门,用于沉积氧化铝绝缘层。

主要技术指标: 生长温度120度 载气流量5sccm 底压0.2torr 前驱体三甲基铝和去离子水、 生长速率1.4A/cycle 均匀性1%

安放地址: 北京市北京市海淀区中关村北大街

服务内容: 由李群庆教授带领的具有一流半导体工艺技术的团队,有专业人员负责设备维护和实验操作,外围支撑部门保障实验室环境以及实验过程中所需的水电气。

服务的典型成果: 清华大学物理系,清华大学化学系,北京大学物理学院

对外开放共享规定: 正在完善中...

参考收费标准: 生长Al2O3薄膜(元/小时)——校内(院内):200.0、校内(院外):200.0、校外:200.0;



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