设备分类编码: 019900

仪器设备分类: 专用

主要学科领域: [其他]

仪器设备来源: 购置

联系电话: 010-62788736

电子邮箱: yqgx@mail.tsinghua.edu.cn

通讯地址: 北京市海淀区中关村北大街

邮政编码: 100084

联系人: 张晓丽

仪器所属类别: 分析仪器>>其他>>其他

规格型号: MIBE-150B

所属科研设施:

主要功能: 通过加速Ar粒子来刻蚀金属薄膜。

主要技术指标: 极限真空1.2*10E-4Pa 均匀性5% 工艺气体Ar 工艺压力6.0*10E-2Pa 离子源加速电压200V 束流50mA至200mA

安放地址: 北京市北京市海淀区中关村北大街

服务内容: 由李群庆教授带领的具有一流半导体工艺技术的团队，有专业人员负责设备维护和实验操作，外围支撑部门保障实验室环境以及实验过程中所需的水电气。

服务的典型成果: 清华大学物理系

对外开放共享规定: 正在完善中...

参考收费标准: 离子束刻蚀(元/小时)——校内(院内):500.0、校内(院外):500.0、校外:500.0;