设备分类编码: 120499

仪器设备分类: 通用

主要学科领域: [自然科学相关工程与技术, 材料科学, 能源科学技术]

仪器设备来源: 购置

联系电话: 18689521220

电子邮箱: fwen323@163.com

通讯地址: 海口市美兰区人民大道58号海南大学材料与化工学院

邮政编码: 570228

联系人: 文峰

仪器所属类别: 工艺试验仪器>>加工工艺实验设备>>其他

规格型号: LSK150

所属科研设施:

主要功能: 用带能中性离子束对样品进行干法刻蚀，制造微细图形。适用于各类金属膜，半导体膜和介质膜，制作半导体MEMS微器件。具有物理溅射刻蚀、真空室通气体反应刻蚀、离子源通气体反应刻蚀功能。

主要技术指标: 一、离子源 1、 离子源K-15平行束考夫曼两栅离子源 2、 拔出口径：15cm 3、 离子能量范围：100-1000ev，连续可调 4、 离子束流：0～180mA，连续可调 5、 刻蚀均匀性：Φ100㎜范围内Ar+离子能量500ev时不均匀性≤±5%，Φ150㎜范围内Ar+离子能量500ev时不均匀性≤±10% 6、 离子源加速栅网和屏栅栅网有对准定位孔，栅孔对准应方便准确。 7、 阴极组件分离设计，应便于阴极灯丝更换。 8、 离子源自带防污染屏蔽罩。 二、等离子桥中和器 1、功能：产生等离子体桥发射电子，中和带能离子束，形成中性离子束，刻蚀介质表面。 2、电子束流：0-1A 3、高纯氩流量：1-3sccm 4、使用寿命：＞100小时 三、刻蚀台 1、 直接水冷工作台，工作台直径Φ140㎜，刻蚀温度不超过90℃； 2、 刻蚀台台旋转0-20转/分；

安放地址: 海南大学李运强理工实验大楼B412

服务内容: 多种材料表面的刻蚀。

服务的典型成果: 无

对外开放共享规定: 按相关文件执行

参考收费标准: 根据具体要求协商确定