各省、自治区、直辖市及计划单列市、新疆生产建设兵团发展改革委、工业和信息化主管部门，有关中央管理企业：

　　为推动我国新型平板显示产业快速发展，落实“宽带中国”战略，国家发展改革委、工业和信息化部拟组织实施新型平板显示和宽带网络设备研发及产业化专项。现将有关事项通知如下：

　　一、专项支持重点

　　（一）新型平板显示领域

　　1、高世代（6代及以上）薄膜晶体管液晶显示（TFT-LCD）用高性能混合液晶材料研发和产业化

　　要求：驱动电压≤7V，响应时间≤15ms，电阻率≥1×1013Ω?cm，单体纯度>99.90%，粘度<20mPa?s；申报单位已实现年销售量大于1吨。

　　2、有源有机发光显示（AMOLED）用高精度金属因钢蒸镀掩膜板研发和产业化

　　要求：尺寸≥650mm×750mm，最小开口尺寸25μm，开口精度≤±3μm，开口间距≤50μm，定位精度≤±5μm；申报单位已实现年销售量大于80套。

　　3、AMOLED用高性能、长寿命有机蓝色电致发光、电子传输和空穴注入/传输材料研发和产业化

　　要求：达产后形成年产发光材料25公斤、其他材料500公斤的生产能力，其中：蓝光材料色度坐标达到CIE（0.14±0.01，0.07±0.01），1000 cd/m2亮度下，效率>6cd/A；空穴传输材料迁移率>8.0×10-4cm2/Vs；电子传输/空穴注入材料采用飞行时间法测试，迁移率>5.0×10-3cm2/Vs；玻璃化转变温度Tg≥130℃；驱动电压低于4V情况下，对应器件特性指标LT95寿命要求红、绿（>5000cd/m2）≥3000小时，蓝（>500cd/ m2）≥1000小时；实验片发光区面积3mm×3mm。

　　4、高分辨率面板驱动IC研发和产业化

　　要求：支持高分辨率（4K×2K）及以上电视面板、300PPI（每英寸像素数目）及以上手机面板，并可根据面板厂商要求提供不同接口技术。

　　5、高世代TFT-LCD及AMOLED用PECVD设备研发和产业化

　　要求：可制备非晶硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二铝等薄膜材料，成膜非均匀度≤±3%，基板处理能力≥20片/小时。

　　6、高世代TFT-LCD及AMOLED用溅射镀膜设备研发和产业化

　　要求：靶材利用率>75%，薄膜非均匀性<5%，可制备ITO（氧化铟锡）、IGZO（氧化铟镓锌）、铝、钼等薄膜材料。